反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@4.5V,3.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):12.2nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:-,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):587pF,输出电容(Coss):88pF,连续漏极电流(Id):3.4A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V,3.3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 587pF | |
| 输出电容(Coss) | 88pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.491/个 |
| 50+ | ¥0.386/个 |
| 150+ | ¥0.333/个 |
| 500+ | ¥0.294/个 |
| 3000+ | ¥0.253/个 |
| 6000+ | ¥0.237/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.233
3000 PCS/盘
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