反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@4.5V,3.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):12.2nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:-,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):587pF,输出电容(Coss):88pF,连续漏极电流(Id):3.4A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 40pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V,3.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12.2nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 587pF | |
输出电容(Coss) | 88pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.474/个 |
50+ | ¥0.373/个 |
150+ | ¥0.322/个 |
500+ | ¥0.284/个 |
3000+ | ¥0.245/个 |
6000+ | ¥0.23/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.2254
3000 PCS/盘
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