反向传输电容(Crss):86pF,导通电阻(RDS(on)):5.6mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):1980pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 86pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V,50A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 125W | |
输入电容(Ciss) | 1980pF | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥9.91/个 |
10+ | ¥8.16/个 |
50+ | ¥7.19/个 |
100+ | ¥6.11/个 |
500+ | ¥5.62/个 |
1000+ | ¥5.4/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.6148
50 PCS/盘
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