温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
MJD31T4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MJD31T4G
- 商品编号
- C184041
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):3MHz,直流电流增益(hFE):25@1A,4V,耗散功率(Pd):15W,集射极击穿电压(Vceo):40V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.2V@3A,375mA,集电极截止电流(Icbo):50uA,集电极电流(Ic):3A
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 特征频率(fT) | 3MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 25@1A,4V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.2V@3A,375mA | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.519/个 |
| 50+ | ¥1.331/个 |
| 150+ | ¥1.251/个 |
| 500+ | ¥1.0169/个 |
| 2500+ | ¥0.972/个 |
| 5000+ | ¥0.946/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥0.945
2500 PCS/盘
省
嘉立创补贴2.78%
一盘能省掉67.5元
送
换料费券¥300
库存总量
7018 PCS电话
顶部
元器件购物车