块擦除时间(tBE):2ms,存储容量:2Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,接口类型:SPI,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):133MHz,页写入时间(Tpp):220us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 接口类型 | SPI | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | 220us |