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FDS6675BZ
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS6675BZ
- 商品编号
- C188503
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000207千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):330pF,导通电阻(RDS(on)):21.8mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):44nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1855pF,输出电容(Coss):335pF,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.8mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1855pF | |
| 输出电容(Coss) | 335pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.55/个 |
| 10+ | ¥2.87/个 |
| 30+ | ¥2.53/个 |
| 100+ | ¥2.19/个 |
| 500+ | ¥1.78/个 |
| 1000+ | ¥1.68/个 |
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