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FDP51N25
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDP51N25
- 商品编号
- C188505
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00216千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):90pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,25.5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):70nC@10V,漏源电压(Vdss):250V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):3410pF,输出电容(Coss):690pF,连续漏极电流(Id):51A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,25.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3410pF | |
| 输出电容(Coss) | 690pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥16.49/个 |
| 10+ | ¥14.39/个 |
| 30+ | ¥13.07/个 |
| 100+ | ¥8.3/个 |
| 500+ | ¥7.69/个 |
| 1000+ | ¥7.42/个 |
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