反向传输电容(Crss):85pF,导通电阻(RDS(on)):66mΩ@10V,19.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):49nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):251W,输入电容(Ciss):2130pF,输出电容(Coss):520pF,连续漏极电流(Id):39A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 85pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@10V,19.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 251W | |
输入电容(Ciss) | 2130pF | |
输出电容(Coss) | 520pF | |
连续漏极电流(Id) | 39A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥13.37/个 |
10+ | ¥12.35/个 |
50+ | ¥9.66/个 |
100+ | ¥9.01/个 |
500+ | ¥8.72/个 |
1000+ | ¥8.59/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.8872
50 PCS/盘
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