反向传输电容(Crss):363pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):58nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2142pF,输出电容(Coss):474pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2.7V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 363pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 2142pF | |
输出电容(Coss) | 474pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.95/个 |
10+ | ¥2.39/个 |
30+ | ¥2.15/个 |
100+ | ¥1.85/个 |
500+ | ¥1.56/个 |
1000+ | ¥1.48/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.3616
5000 PCS/盘
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