反向传输电容(Crss):77pF,导通电阻(RDS(on)):52mΩ@2.5V,4A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):1050pF,输出电容(Coss):66pF,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 77pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@2.5V,4A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
输入电容(Ciss) | 1050pF | |
输出电容(Coss) | 66pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.197/个 |
200+ | ¥0.151/个 |
600+ | ¥0.13/个 |
3000+ | ¥0.107/个 |
9000+ | ¥0.101/个 |
21000+ | ¥0.0967/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09844
3000 PCS/盘
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