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CMP100N06L
扩展库- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 厂家型号
- CMP100N06L
- 商品编号
- C19077054
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002653千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):170pF,导通电阻(RDS(on)):9.6mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):130W,输入电容(Ciss):2600pF,输出电容(Coss):190pF,连续漏极电流(Id):110A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 输入电容(Ciss) | 2600pF | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
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