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1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
扩展库- 品牌名称
- HL(富海微)
- 厂家型号
- S12N10
- 商品编号
- C19100370
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000378千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):21.4pF,导通电阻(RDS(on)):140mΩ@10V,3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.3nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):196pF,输出电容(Coss):25.9pF,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 输出电容(Coss) | 25.9pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.585/个 |
| 50+ | ¥0.465/个 |
| 150+ | ¥0.405/个 |
| 500+ | ¥0.36/个 |
| 2500+ | ¥0.312/个 |
| 5000+ | ¥0.294/个 |
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