反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):1.05mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):243.6nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:-,耗散功率(Pd):468W,输入电容(Ciss):13085pF,输出电容(Coss):2615pF,连续漏极电流(Id):400A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 120pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 243.6nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 468W | |
输入电容(Ciss) | 13085pF | |
输出电容(Coss) | 2615pF | |
连续漏极电流(Id) | 400A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.05/个 |
10+ | ¥5.48/个 |
30+ | ¥5.16/个 |
100+ | ¥4.81/个 |
500+ | ¥4.46/个 |
1500+ | ¥4.39/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.0388
1500 PCS/盘
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