反向传输电容(Crss):24pF,导通电阻(RDS(on)):78mΩ,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):58nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):165W,输入电容(Ciss):852pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):39A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 24pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ | |
工作温度 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 58nC | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 165W | |
输入电容(Ciss) | 852pF | |
输出电容(Coss) | 55pF | |
连续漏极电流(Id) | 39A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥68.61/个 |
10+ | ¥58.46/个 |
30+ | ¥52.27/个 |
90+ | ¥47.08/个 |
92+ | ¥47.08/个 |
94+ | ¥47.08/个 |
整盘
单价
整盘单价¥48.0884
30 PCS/盘
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