反向传输电容(Crss):563pF,导通电阻(RDS(on)):3mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):130W,输入电容(Ciss):5000pF,连续漏极电流(Id):150A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 563pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 130W | |
输入电容(Ciss) | 5000pF | |
连续漏极电流(Id) | 150A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.68/个 |
10+ | ¥2.13/个 |
50+ | ¥1.89/个 |
100+ | ¥1.6/个 |
500+ | ¥1.46/个 |
1000+ | ¥1.38/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.7388
50 PCS/盘
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