导通电阻(RDS(on)):260mΩ@10V,8A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):33.2W,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V,8A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 33.2W | |
连续漏极电流(Id) | 15A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.08/个 |
10+ | ¥4.61/个 |
50+ | ¥4/个 |
100+ | ¥3.77/个 |
500+ | ¥3.63/个 |
1000+ | ¥3.55/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.68
50 PCS/盘
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