反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@0V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):230W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@0V,8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥66.89/个 |
| 10+ | ¥59.993/个 |
| 30+ | ¥55.784/个 |
| 100+ | ¥52.25/个 |
| 102+ | ¥52.25/个 |
| 104+ | ¥52.25/个 |
整盘
单价
整盘单价¥48.07
800 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉3344元