导通电阻(RDS(on)):4Ω@4.5V,200mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):35pF@25V,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V,200mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.128/个 |
| 200+ | ¥0.0987/个 |
| 600+ | ¥0.0825/个 |
| 3000+ | ¥0.0727/个 |
| 9000+ | ¥0.0643/个 |
| 21000+ | ¥0.0598/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06688
3000 PCS/盘
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