导通电阻(RDS(on)):4Ω@4.5V,200mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):35pF@25V,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V,200mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
输入电容(Ciss) | 35pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.435/个 |
100+ | ¥0.348/个 |
300+ | ¥0.304/个 |
3000+ | ¥0.271/个 |
6000+ | ¥0.245/个 |
9000+ | ¥0.232/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.24932
3000 PCS/盘
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