反向传输电容(Crss):300pF,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@2.5V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11.5nC,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):1100pF@6V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):0.65V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 300pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V,5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11.5nC | |
漏源电压(Vdss) | 12V | |
耗散功率(Pd) | 1.8W | |
输入电容(Ciss) | 1100pF@6V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.65V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.444/个 |
100+ | ¥0.352/个 |
300+ | ¥0.306/个 |
3000+ | ¥0.271/个 |
6000+ | ¥0.244/个 |
9000+ | ¥0.23/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.24932
3000 PCS/盘
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