反向传输电容(Crss):28pF@10V,导通电阻(RDS(on)):0.16Ω@4.5V,1.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.5nC@5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):162pF@10V,连续漏极电流(Id):1.3A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 28pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.16Ω@4.5V,1.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.5W | |
输入电容(Ciss) | 162pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.973/个 |
50+ | ¥0.754/个 |
150+ | ¥0.661/个 |
500+ | ¥0.544/个 |
3000+ | ¥0.492/个 |
6000+ | ¥0.46/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.46
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