反向传输电容(Crss):6pF,导通电阻(RDS(on)):4Ω@4.5V,0.2A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):50V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):27pF,输出电容(Coss):13pF,连续漏极电流(Id):0.22A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 6pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V,0.2A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.35W | |
输入电容(Ciss) | 27pF | |
输出电容(Coss) | 13pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.22A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.151/个 |
200+ | ¥0.117/个 |
600+ | ¥0.0987/个 |
3000+ | ¥0.0807/个 |
9000+ | ¥0.071/个 |
21000+ | ¥0.0658/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.07424
3000 PCS/盘
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