反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):10Ω@4.5V,0.15A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):50V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.225W,输入电容(Ciss):30pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):0.13A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@4.5V,0.15A | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.225W | |
输入电容(Ciss) | 30pF | |
输出电容(Coss) | 10pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.13A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.186/个 |
200+ | ¥0.149/个 |
600+ | ¥0.129/个 |
3000+ | ¥0.103/个 |
9000+ | ¥0.0922/个 |
21000+ | ¥0.0865/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09476
3000 PCS/盘
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