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2-Gbit，2112字节/1056字页，多平面架构，1.8V或3V，SLC NAND闪存
扩展库- 品牌名称
- micron(镁光)
- 厂家型号
- NAND02GW3B2DN6E
- 商品编号
- C19310685
- 商品封装
- TSOP-48
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- 3A991
商品参数
写周期时间(Tw):-,块擦除时间(tBE):1.5ms,存储容量:2Gbit,工作温度:-,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:-,接口类型:-,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):-,时钟频率(fc):-,页写入时间(Tpp):200us
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | 1.5ms | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作温度 | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | - | |
| 接口类型 | - | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
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