导通电阻(RDS(on)):17.5mΩ@4.5V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):21W,输入电容(Ciss):600pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 21W | |
输入电容(Ciss) | 600pF | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.655/个 |
50+ | ¥0.583/个 |
150+ | ¥0.511/个 |
500+ | ¥0.503/个 |
510+ | ¥0.503/个 |
520+ | ¥0.503/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.503
3000 PCS/盘