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16-Gbit 3V 多平面架构多级单元 NAND 闪存
扩展库- 品牌名称
- micron(镁光)
- 厂家型号
- NAND16GW3D2BN6E
- 商品编号
- C19334885
- 商品封装
- TSOP-48
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
写周期时间(Tw):-,块擦除时间(tBE):2.5ms,存储容量:16Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:10uA,接口类型:-,擦写寿命:5000次,数据保留 - TDR(年):5年,时钟频率(fc):-,页写入时间(Tpp):800us
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | 2.5ms | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 接口类型 | - | |
| 擦写寿命 | 5000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 5年 | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 800us |
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