导通电阻(RDS(on)):1.6Ω@10V,300mA,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):420mW,输入电容(Ciss):50pF@10V,连续漏极电流(Id):320mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V,300mA | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.8nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 420mW | |
输入电容(Ciss) | 50pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 320mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.272/个 |
100+ | ¥0.215/个 |
300+ | ¥0.186/个 |
3000+ | ¥0.164/个 |
6000+ | ¥0.147/个 |
9000+ | ¥0.138/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.15088
3000 PCS/盘
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