上升时间(tr):-,下降时间(tf):-,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-20℃~+85℃,工作温度:-20℃~+85℃,工作电压:-,工作电压:4V~13.2V,拉电流(IOH):1.7A,灌电流(IOL):2.3A,特性:-,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0V~1.2V,输入高电平(VIH):1.8V~5V,输出电流:1.7A,输出电流:2.3A,静态电流(Iq):442uA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥,驱动配置:全桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电机驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间(tf) | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -20℃~+85℃ | |
| 工作温度 | -20℃~+85℃ | |
| 工作电压 | - | |
| 工作电压 | 4V~13.2V | |
| 拉电流(IOH) | 1.7A | |
| 灌电流(IOL) | 2.3A | |
| 特性 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0V~1.2V | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V~5V | |
| 输出电流 | 1.7A | |
| 输出电流 | 2.3A | |
| 静态电流(Iq) | 442uA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 驱动配置 | 全桥 |