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NAND闪存存储器，高达1Gbit存储阵列，x8或x16总线宽度，1.8V/3V供电
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- NAND128W3A0AN6F
- 商品编号
- C19355902
- 商品封装
- TSOP-48
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
写周期时间(Tw):-,块擦除时间(tBE):2ms,存储容量:128Mbit,工作温度:-,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:10uA,接口类型:-,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):-,时钟频率(fc):-,页写入时间(Tpp):200us
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 工作温度 | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 接口类型 | - | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
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