导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,4.2A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:-,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1050pF@15V,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,4.2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 1050pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.226/个 |
200+ | ¥0.174/个 |
600+ | ¥0.145/个 |
3000+ | ¥0.128/个 |
9000+ | ¥0.113/个 |
21000+ | ¥0.105/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11776
3000 PCS/盘
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