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NAND512R3A2CZA6E
扩展库- 品牌名称
- micron(镁光)
- 厂家型号
- NAND512R3A2CZA6E
- 商品编号
- C19589120
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- 3A991
商品参数
写周期时间(Tw):-,块擦除时间(tBE):2ms,存储容量:512Mbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:1.7V~1.95V,待机电流:100uA,接口类型:Parallel,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):-,页写入时间(Tpp):50ns
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 50ns |
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