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AP4957GM&19-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- AP4957GM&19-VB
- 商品编号
- C19626804
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000112千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):185pF,导通电阻(RDS(on)):0.028Ω@4.5V,6.2A,工作温度:-,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):5W,输入电容(Ciss):1350pF,输出电容(Coss):215pF,连续漏极电流(Id):9.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.028Ω@4.5V,6.2A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1350pF | |
| 输出电容(Coss) | 215pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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