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P2103NVG-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- P2103NVG-VB
- 商品编号
- C19632261
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.00011千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):33pF,反向传输电容(Crss):57pF,导通电阻(RDS(on)):0.018Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):0.04Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6nC@10V,栅极电荷量(Qg):41.5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):510pF,输入电容(Ciss):620pF,输出电容(Coss):95pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.018Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.04Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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