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SI4433DY-T1-E3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SI4433DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C19711278
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000109千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.015Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@8V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):19W,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.015Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@8V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
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