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SI9936DY-T1-E3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SI9936DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C19711280
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.00016千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):55pF,导通电阻(RDS(on)):0.022Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.026Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.7W,输入电容(Ciss):586pF,输出电容(Coss):117pF,连续漏极电流(Id):6A,连续漏极电流(Id):6.8A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.022Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.026Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 586pF | |
| 输出电容(Coss) | 117pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.0884/个 |
| 50+ | ¥1.64/个 |
| 150+ | ¥1.448/个 |
| 500+ | ¥1.208/个 |
| 2500+ | ¥1.101/个 |
| 4000+ | ¥1.0369/个 |
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