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HC2M0160120K
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HC2M0160120K
- 商品编号
- C19723861
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.0122千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):208mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):32nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):103W,输入电容(Ciss):730pF,输出电容(Coss):31pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):3.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 208mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 103W | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF | |
| 输出电容(Coss) | 31pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
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| 10+ | ¥20.565/个 |
| 30+ | ¥18.423/个 |
| 90+ | ¥16.272/个 |
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