写周期时间(Tw):20ns,块擦除时间(tBE):2ms,存储容量:2Gbit,工作温度:-40℃~+105℃,工作电压:1.7V~1.95V,待机电流:100uA,接口类型:Parallel,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):-,时钟频率(fc):-,页写入时间(Tpp):30ns
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | 20ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 30ns |