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STW65N023M9-4
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STW65N023M9-4
- 商品编号
- C20033906
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):23mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):230nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):463W,输入电容(Ciss):8844pF,输出电容(Coss):140pF,连续漏极电流(Id):95A,阈值电压(Vgs(th)):4.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 463W | |
| 输入电容(Ciss) | 8844pF | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥110.18/个 |
| 3+ | ¥110.18/个 |
| 5+ | ¥110.18/个 |
| 30+ | ¥104/个 |
| 32+ | ¥104/个 |
| 34+ | ¥104/个 |
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