反向传输电容(Crss):42pF,导通电阻(RDS(on)):39mΩ,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):104nC@18V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):262W,输入电容(Ciss):1526pF,输出电容(Coss):89pF,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@18V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 262W | |
| 输入电容(Ciss) | 1526pF | |
| 输出电容(Coss) | 89pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥175.12/个 |
| 10+ | ¥169.11/个 |
| 12+ | ¥169.11/个 |
| 14+ | ¥169.11/个 |
| 16+ | ¥169.11/个 |
| 18+ | ¥169.11/个 |
整盘
单价
整盘单价¥165.973
450 PCS/盘
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