传播延迟(tpd):4.5us,共模抑制比(CMRR):88dB,单电源:1.8V~5.5V,响应时间(tr):0.08us,工作温度:-40℃~+125℃,最大电源宽度(Vdd-Vss):6V,比较器数:1,比较器数:单路,滞后电压(Vhys):-,轨到轨:轨到轨输入,输入偏置电流(Ib):0.04pA,输入失调电压(Vos):0.3mV,输入失调电压温漂(Vos TC):1uV/℃,输入失调电流(Ios):0.01pA,输出模式:TTL,输出模式:CMOS,输出类型:CMOS,输出类型:开漏,输出类型:推挽,静态电流(Iq):580nA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 比较器 | |
传播延迟(tpd) | 4.5us | |
共模抑制比(CMRR) | 88dB | |
单电源 | 1.8V~5.5V | |
响应时间(tr) | 0.08us | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
最大电源宽度(Vdd-Vss) | 6V | |
比较器数 | 1 | |
比较器数 | 单路 | |
滞后电压(Vhys) | - | |
轨到轨 | 轨到轨输入 | |
输入偏置电流(Ib) | 0.04pA | |
输入失调电压(Vos) | 0.3mV | |
输入失调电压温漂(Vos TC) | 1uV/℃ | |
输入失调电流(Ios) | 0.01pA | |
输出模式 | TTL | |
输出模式 | CMOS | |
输出类型 | CMOS | |
输出类型 | 开漏 | |
输出类型 | 推挽 | |
静态电流(Iq) | 580nA |