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IMYH200R100M1HXKSA1
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMYH200R100M1HXKSA1
- 商品编号
- C20191548
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.008123千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):131mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):55nC,漏源电压(Vdss):2000V,耗散功率(Pd):217W,输入电容(Ciss):1215pF,输出电容(Coss):40pF,连续漏极电流(Id):26A,阈值电压(Vgs(th)):5.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 131mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 2000V | |
| 耗散功率(Pd) | 217W | |
| 输入电容(Ciss) | 1215pF | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
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