导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):315nC@10V,漏源电压(Vdss):950V,耗散功率(Pd):446W,输入电容(Ciss):9378pF,输出电容(Coss):117pF,连续漏极电流(Id):74.7A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@2.85mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 315nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 950V | |
耗散功率(Pd) | 446W | |
输入电容(Ciss) | 9378pF | |
输出电容(Coss) | 117pF | |
连续漏极电流(Id) | 74.7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@2.85mA |