导通电阻(RDS(on)):130mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):141nC@10V,漏源电压(Vdss):950V,耗散功率(Pd):227W,输入电容(Ciss):4170pF,输出电容(Coss):53pF,连续漏极电流(Id):36.5A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@1.25mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 141nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 950V | |
耗散功率(Pd) | 227W | |
输入电容(Ciss) | 4170pF | |
输出电容(Coss) | 53pF | |
连续漏极电流(Id) | 36.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@1.25mA |