SIHG155N60EF-GE3实物图
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SIHG155N60EF-GE3

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品牌名称
VISHAY(威世)
厂家型号
SIHG155N60EF-GE3
商品编号
C20346117
商品封装
TO-247AC
商品毛重
0.007562千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):1pF,导通电阻(RDS(on)):0.159Ω@10V,栅极电荷量(Qg):38nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):179W,输入电容(Ciss):1465pF,输出电容(Coss):56pF,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)1pF
导通电阻(RDS(on))0.159Ω@10V
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
漏源电压(Vdss)600V
类型N沟道
耗散功率(Pd)179W
输入电容(Ciss)1465pF
输出电容(Coss)56pF
连续漏极电流(Id)21A
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA

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