反向传输电容(Crss):1pF,导通电阻(RDS(on)):0.159Ω@10V,栅极电荷量(Qg):38nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):179W,输入电容(Ciss):1465pF,输出电容(Coss):56pF,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.159Ω@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 输入电容(Ciss) | 1465pF | |
| 输出电容(Coss) | 56pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥21.37/个 |
| 10+ | ¥20.83/个 |
| 30+ | ¥20.48/个 |
| 100+ | ¥20.12/个 |
| 102+ | ¥20.12/个 |
| 104+ | ¥20.12/个 |
整盘
单价
整盘单价¥19.74
500 PCS/盘
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