SQ4401CEY-T1_GE3实物图
SQ4401CEY-T1_GE3缩略图
SQ4401CEY-T1_GE3缩略图
SQ4401CEY-T1_GE3缩略图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

SQ4401CEY-T1_GE3

扩展库
品牌名称
VISHAY(威世)
厂家型号
SQ4401CEY-T1_GE3
商品编号
C20346164
商品封装
SO-8
商品毛重
0.00027千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):580pF,导通电阻(RDS(on)):0.023Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):115nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):7.14W,输入电容(Ciss):4250pF,连续漏极电流(Id):17.3A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)580pF
导通电阻(RDS(on))0.023Ω@4.5V
工作温度-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)115nC@10V
漏源电压(Vdss)40V
类型P沟道
耗散功率(Pd)7.14W
输入电容(Ciss)4250pF
连续漏极电流(Id)17.3A
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

预订参考价

4.19 / PCS

库存总量

0 PCS
电话
顶部
元器件购物车