共模抑制比(CMRR):86dB,压摆率(SR):13V/us,双电源(Vee ~ Vcc):-15V~15V,噪声密度(eN):18nV/√Hz@1kHz,增益带宽积(GBP):3MHz,工作温度:-40℃~+125℃,放大器数:4,放大器数:四路,最大电源宽度(Vdd-Vss):36V,轨到轨:-,输入偏置电流(Ib):200pA,输入失调电压(Vos):6mV,输入失调电压温漂(Vos TC):18uV/℃,输入失调电流(Ios):100pA,输出电流:-,静态电流(Iq):2.5mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | FET输入运放 | |
共模抑制比(CMRR) | 86dB | |
压摆率(SR) | 13V/us | |
双电源(Vee ~ Vcc) | -15V~15V | |
噪声密度(eN) | 18nV/√Hz@1kHz | |
增益带宽积(GBP) | 3MHz | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
放大器数 | 4 | |
放大器数 | 四路 | |
最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V | |
轨到轨 | - | |
输入偏置电流(Ib) | 200pA | |
输入失调电压(Vos) | 6mV | |
输入失调电压温漂(Vos TC) | 18uV/℃ | |
输入失调电流(Ios) | 100pA | |
输出电流 | - | |
静态电流(Iq) | 2.5mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥14.87/个 |
10+ | ¥12.55/个 |
30+ | ¥11.09/个 |
100+ | ¥9.6/个 |
500+ | ¥8.93/个 |
1000+ | ¥8.64/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.173
2500 PCS/盘
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