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MJD127T4G-HXY
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- MJD127T4G-HXY
- 商品编号
- C20611968
- 商品封装
- TO-252-2L
- 商品毛重
- 0.000365千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):-,直流电流增益(hFE):12000@4A,4V,耗散功率(Pd):1.5W,集射极击穿电压(Vceo):100V,集射极饱和电压(VCE(sat)):4V@8A,80mA,集电极截止电流(Icbo):10uA,集电极电流(Ic):8A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 12000@4A,4V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 4V@8A,80mA | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集电极电流(Ic) | 8A |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.171/个 |
| 50+ | ¥0.937/个 |
| 150+ | ¥0.837/个 |
| 500+ | ¥0.712/个 |
| 2500+ | ¥0.621/个 |
| 5000+ | ¥0.588/个 |
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