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D882M
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- D882M
- 商品编号
- C20616321
- 商品封装
- TO-252-2L
- 商品毛重
- 0.000364千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):6V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):6MHz,耗散功率(Pd):1.25W,集射极击穿电压(Vceo):30V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V@2A,0.2A,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):3A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 特征频率(fT) | 6MHz | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.5V@2A,0.2A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.595/个 |
| 50+ | ¥0.472/个 |
| 150+ | ¥0.411/个 |
| 500+ | ¥0.365/个 |
| 2500+ | ¥0.313/个 |
| 5000+ | ¥0.294/个 |
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