FET类型:N沟道,反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):1.7Ω,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):30V,栅源截止电压(VGS(off)):-,漏源电流(Idss):100uA,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):750pF,输出电容(Coss):80pF,配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | N沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 100uA | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 配置 | - |