反向传输电容(Crss):50pF,导通电阻(RDS(on)):48mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:-,栅极电荷量(Qg):7nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):630pF@15V,输出电容(Coss):75pF,连续漏极电流(Id):5.7A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.45V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.472/个 |
| 50+ | ¥0.372/个 |
| 150+ | ¥0.321/个 |
| 500+ | ¥0.279/个 |
| 3000+ | ¥0.264/个 |
| 6000+ | ¥0.254/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.251
3000 PCS/盘
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