导通电阻(RDS(on)):48mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:-,栅极电荷量(Qg):7nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):630pF@15V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):1.45V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 630pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.483/个 |
50+ | ¥0.383/个 |
150+ | ¥0.331/个 |
500+ | ¥0.289/个 |
3000+ | ¥0.274/个 |
6000+ | ¥0.264/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.253
3000 PCS/盘
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