反向传输电容(Crss):3.5pF,导通电阻(RDS(on)):2.4Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):14.5nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):610pF,输出电容(Coss):53pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 30W | |
输入电容(Ciss) | 610pF | |
输出电容(Coss) | 53pF | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.399/个 |
50+ | ¥1.102/个 |
150+ | ¥0.974/个 |
500+ | ¥0.815/个 |
2000+ | ¥0.745/个 |
5000+ | ¥0.702/个 |
10000+ | ¥0.693/个 |
20000+ | ¥0.687/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.01384
50 PCS/盘
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