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DMN6068SE-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN6068SE-13
- 商品编号
- C209902
- 商品封装
- SOT-223-3
- 商品毛重
- 0.000232千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):27.1pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):502pF@30V,连续漏极电流(Id):5.6A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 27.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 502pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.22/个 |
| 50+ | ¥0.956/个 |
| 150+ | ¥0.842/个 |
| 500+ | ¥0.701/个 |
| 2500+ | ¥0.638/个 |
| 4000+ | ¥0.6/个 |
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